檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "李嘉平".cadvisor (精準) and year="93"
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本論文主要是研究先以Cu(hfac)2．H2O為先驅物並外加水來沈積氧化亞銅(Cu2O)薄膜之後，再利用乙醇將Cu2O薄膜還原成Cu薄膜的二階段化學氣相沈積成長方式之第二階段乙醇還原的過程。 首先我…
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本論文主要是探討以射頻磁控濺鍍（RF magnetron sputterig）之方式所沉積之TiNx阻障層抵抗銅原子擴散的能力。主要是以射頻磁控濺鍍法沉積不同氮含量之TiNx薄膜，進行晶粒大小、結晶…
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中文摘要 本文以1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮-1,5-環辛二烯銅（(hfac)Cu(COD)）為先驅物，利用電催化化學氣相沈積的方法沈積銅膜於基材（TaNx/SiO2）上。(hfa…
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銅具有比鋁高之擴散速率，容易擴散至其他材料中形成化合物， 因此必須在銅的上方或下方，以PVD 或者是CVD 的方式沈積一層緩 衝層(Buffer Layer)，目前緩衝層材料以Mo 或MoW 為主，…
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摘 要 本研究主要是探討錫-銀-銅合金與金基材界面反應。區分為三個不同錫濃度系統：96.5wt％Sn、95.5wt％Sn、95.0wt％Sn，分別與金基材進行固相/固相界面反應，反應溫度為15…
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銀-銅-錫三元合金以及銅-錫二元合金是市面上熱門的無鉛銲料，而金常用於PCB中的電鍍材料及基層材料，也是覆晶(flip chip)製程中主要的凸塊下金屬化(under bump metallurgy…